Top > 宇宙線の影響

シングルイベント(SEE:single-event effects)

入射した単発の荷電粒子によって起こるエラー。
荷電粒子である宇宙放射線がたとえ1個でも集積回路内を通過すると、その時に生じる電荷量が集積回路で働く電荷量と同程度になり、集積回路に損傷を引き起こす

シングルイベントアップセット (SEU:Single Event Upset)

メモリやフリップフロップなどに入射した単発の荷電粒子によって、記憶されていた情報が反転する現象。

シングルイベントラッチアップ (SEL:Single Event Latchup)

トランジスタなどで、入射した単発の荷電粒子によって本来意図しない経路で電流が流れる現象。
流れる電流の増加などで発見できる。

シングルイベントバーンアウト (SEB:Single Event Burnout)

荷電粒子の入射によりトランジスタやFETに大電流が流れ、焼損すること。

シングルイベントゲートラプチャー (SEGR:Single Event Gate Rupture)

荷電粒子の入射によりFETのゲートに電流が流れ焼損すること

トータルドーズ(TID:Total Ionizing Dose Effects)

人工衛星のミッション期間中に半導体部品に吸収される放射線のエネルギー量。
放射線の種類やエネルギーによらず、それらが発生させた電離の総量だけによって決まる劣化現象。トータルドーズ効果は宇宙放射線に曝される半導体部品の性能劣化の代表的な現象。


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Last-modified: Thu, 17 Aug 2006 21:06:57 JST (4815d)